首頁 > 技術 > 正文

realme GT Neo3正面首度公布 將采用居中打孔屏幕方案

2022-03-18 16:58:44來源：快科技  

據此前消息，realme GT Neo3將于3月22日正式發(fā)布，在經過多輪預熱之后，官方終于公開了該機的正面造型。

根據realme中國區(qū)總裁徐起公布的實拍圖，realme GT Neo3將采用居中打孔屏幕方案，且邊框控制的非常出色。

值得注意的是，該機也是realme首次采用居中打孔，此前多為左上角開孔。

據此前消息，該機最大的亮點就是將搭載天璣8100芯片+獨顯芯片的雙芯組合，以及全球首發(fā)150W光速秒充技術。

其中，獨立顯示芯片能夠分擔性能芯片的GPU渲染工作，通過MEMC運動補償技術，計算出游戲原始兩幀畫面之間的過度畫面，增加過度幀，由此來提升游戲畫面整體幀率。

有了獨立顯示芯片的運作，游戲畫面能穩(wěn)定在高幀率的同時，減少性能芯的功耗，一舉兩得。

至于150W閃充技術則采用UDCA光速秒充架構，其采用并聯(lián)多路電荷泵方式增加充電電流，以更低轉化損耗、更低電阻、更低溫度實現(xiàn)150W大功率閃充。

根據徐起日前曬出的截圖顯示，realme GT Neo3能在150秒成功沖破電量紅區(qū)，從1%充電到超過25%電量，號稱能顛覆日常充電體驗。

標簽： 正式發(fā)布 居中打孔 左上角開孔 屏幕方案

相關閱讀

精彩推薦

相關詞

推薦閱讀